应用概述
金刚石作为碳的稳定单质晶体，具有高热导率和低热膨胀系数，使得它在散热领域具有显著优势。微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术因其适合合成高档多晶和单晶金刚石薄膜而备受瞩目
应用详情
金刚石作为碳的稳定单质晶体，具有高热导率和低热膨胀系数，使得它在散热领域具有显著优势。各种研究结果证明，与Si、SiC和GaN等半导体材料相比，金刚石在散热领域的优势十分明显。例如，金刚石的热导率高达2200W/m·K，足足是Si材料的10倍有余；相较于GaN，金刚石的载流子迁移率和击穿电场更为出色。正因如此，金刚石无疑是理想的热沉材料，可以显著增强半导体器件的散热能力，这目前已成为业内广泛认可的未来散热方案之一。
为了推动金刚石热传导元件及散热材料的大规模应用，解决其生长速度和膜质量的问题，同时降低制备设备的能耗和制造成本，成为了当前亟待解决的工程挑战。近年来，化学气相沉积（CVD）技术得到了迅猛发展，并被广泛应用于金刚石薄膜的生长。其中，微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术因其适合合成高档多晶和单晶金刚石薄膜而备受瞩目。
